公司与战略投资者合作建立多元股份制公司，建成功率MOS晶体管/IGBT芯片生产线，达到年加工6"硅片36万片的生产能力，形成功率MOS晶体管/IGBT生产和研发基地，主要包括：

（1）新建厂房13000平米，其中芯片生产净化厂房3600平米，完善相应的水、电、气等动力配套设施；

（2）新增6"芯片生产线的进口生产设备、测试仪器和工夹具；

（3）引进先进技术团队、工艺技术和软件。

投资总额及合作方式：

项目总投资4.35亿元。其中：西安卫光科技有限公司自筹2.25亿元，拟招商引资2.1亿元。

合作方式：（1）、投资方可以参资入股等形式与本公司合作，按持股比例进行分红。（2）、融资资金将主要用于该项目生产线建设，购买生产设备、测试仪器等。

市场预测及投资回报分析：

项目完成后，年销售收入150036万元，净利润18048万元，总投资回收期3.98年，盈亏平衡点55.1%。项目经济效益好，能为企业增加较大的利润，投资回收期短，抗风险能力强。