项目采用“大功率垂直结构LED芯片”核心技术，采用适合于大规模生产的低成本微纳米结构制造技术和垂直结构MOCVD外延设计，解决了LED的散热瓶颈问题，克服了LED技术发展瓶颈，将大大提升国内半导体照明用大功率芯片产品的质量。达产后，可实现年产外延片13.5万片，芯片1.8亿只的生产能力。

投资总额及合作方式：

项目投资总额为13967.91万元，其中建设投资13106.44万元，铺底流动资金861.47万元。本项目拟通过现金入股方式引进资金6000万元。

市场预测及投资回报分析：

根据上海电子工程设计研究院有限公司（资质等级：甲级）编制的项目可行性研究报告的财务评价结论，本项目各项财务指标较好，其中：项目财务内部收益率为22.38%（税后）、总投资回收期为5.14年（税后）、盈亏平衡点产量为48.14%，该项目还具有较好的抗风险能力。